Hal ini melaporkan bahwa Aixtron, pemasok terkemuka di dunia pengendapan peralatan untuk industri semikonduktor, mengatakan bahwa Plessey telah memerintahkan AIX G5 + C planet reaktor platform. Plessey berencana untuk menggunakan logam uap kimia organik pengendapan (EPITAKSI) sistem untuk meningkatkan kapasitas epitaksial Wafer silikon pada GaN (GaN pada Si) untuk generasi MicroLED aplikasi.
AIX G5 + C EPITAKSI sistem menyediakan modul transfer wafer otomatis kaset (C2C) dengan dua pilihan konfigurasi ruang independen untuk 8 * 6" atau 5 * 8" wafer GaN-di-Si di pemuatan otomatis tertutup dan penghapusan dalam lingkungan kaset.
Ai Siqiang mengatakan bahwa teknologi pembersihan otomatis platform reaktor baru menjamin bahwa peralatan dibersihkan setiap kali berjalan, membantu untuk mengurangi tingkat Cacat wafer dan secara signifikan mengurangi downtime. Peralatan baru juga memiliki akhir lebih cepat dan cooling dan susceptor bongkar muat suhu yang lebih tinggi untuk mengurangi waktu resep.
AIX G5 + C reaktor platform akan mendukung Plessey's rencana untuk meningkatkan kemampuan MicroLED R&D chip tunggal yang menggunakan teknologi GaN pada Si milik perusahaan.
Plessey mengatakan MicroLEDs yang memiliki kepadatan sangat tinggi kecerahan dan piksel dan mengkonsumsi sangat sedikit daya. Karakteristik kinerja ini memiliki potensi untuk mempengaruhi jumlah aplikasi yang ada dalam teknologi tampilan tradisional, termasuk LCD dan OLEDs. Layar MicroLED ini menggabungkan sangat tinggi kepadatan RGB larik-larik piksel dengan backplane CMOS untuk memberikan sangat tinggi kecerahan, daya rendah dan tingkat tinggi bingkai gambar sumber untuk perangkat elektronik dpt dipakai dan kepala-Mount Display serta ditambah kenyataan dan realitas virtual sistem.
